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型号：OE-300-SI-30(DP)
超低噪声光电探测器：320~1000nm，Si-PIN探测OE-300-SI-30(DP)
探测器探测器类型：Si基
光敏面尺寸：Φ3mm
波段范围：320-1000nm
响应度(typ.)：0.59A/W(@850nm)
暗电流(typ.)：0.1nA
规格参数测试条件：VS = ±15 V，TA = 25 ℃，输出负载阻抗50 Ω，预热时间20 分钟（建议至少10 分钟）
增益跨阻增益：1 × 10^2~1 × 10^8 V/A（50 Ω负载）
增益精度：±1%
频率响应低频截止频率：直流(DC)/100 Hz，可切换
高频截止频率（-3dB)：最高可达100 MHz（见下表），可切换至1MHz或10 MHz
规格参数
产品参数
1 产品
| 图片 | 型号 | 产品名称 | ||||||||||||||||||||
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| 超低噪声光电探测器：320~1000nm，Si-PIN探测OE-300-SI-30(DP) | 探测器类型：Si基 光敏面尺寸：Φ3mm 波段范围：320-1000nm 响应度(typ.)：0.59A/W(@850nm) 暗电流(typ.)：0.1nA | 测试条件：VS = ±15 V，TA = 25 ℃，输出负载阻抗50 Ω，预热时间20 分钟（建议至少10 分钟） | 跨阻增益：1 × 10^2~1 × 10^8 V/A（50 Ω负载） 增益精度：±1% | 低频截止频率：直流(DC)/100 Hz，可切换 高频截止频率（-3dB)：最高可达100 MHz（见下表），可切换至1MHz或10 MHz | 饱和光功率(CW)：见下表性能参数 噪声等效功率（NEP)：见下表性能参数 | 输出电压范围：±1 V（@ 50Ω），适用于线性放大 输出阻抗：50Ω 最大输出电流：±40mA（短路防护） 压摆率：1000V/µs 输出偏移补偿：可通过偏移电位器及外部控制电压进行调节，输出偏移补偿范围最小为±100 mV | 监控增益：低噪声模式：增益设置/（-1） 高速模式：增益设置/（-10） 极性：反相 电压范围：±1 V (≥1 MΩ负载下) 带宽：直流(DC)~1kHz 阻抗：1kΩ(专为≥1MΩ负载设计) | 指示功能：过载 | 控制输入电压范围：低电平位：－0.8V~+1.2V；高电平位：+2.3V~+12V 控制输入电流：0mA@ 0V; 1.5mA@+5V; 4.5mA@+12V 过载输出：非工作状态：<0.4V，电流范围：0～－1mA 工作状态：典型值为5~5.1V，电流范围：0~2mA | 控制电压范围：±10V 偏移控制输入阻抗：15kΩ | FST法兰材料：1.4305不锈钢，镀镍 FST耦合环材料：1.4305不锈钢，玻璃珠喷砂处理 | 电压：±15V(±14.75V~±16.5V) 电流：典型值:±110mA/±90mA(取决于工作条件，推荐最低电源供应能力（±200mA） | 重量：360 g 材质：AIMg4.5Mn，镀镍 | 储存温度：-40℃ 至+80℃ 工作温度：0℃ 至+60℃ | 输入光功率(CW)：12 mW 数字控制输入电压：－ 5V/+16V：相对于数字地DGND（引脚9） 模拟控制输入电压：±15V：相对于模拟地AGND（引脚3） 供电电压：±20 V | 尺寸：158.8mm*57.7mm*45mm | 适用于自由空间应用的1.035英寸×40螺纹法兰 | BNC 接头（母座） | LEMO®系列1S型，3针固定插座（插头类型：FFA.1S.303. CLAC52） | D型子插头，25针，母端 |
