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紫外探测器

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型号	产品名称
GaN-210/370nm-1 X 1mm-AG8/GaN-210/370nm-2 X 2mm-AG8等	光电探测器:氮化镓，220~440nm，紫外放大型，可调增益	210nm~370nm 210nm~370nm 210nm~370nm 225nm~290nm 290nm~440nm	Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V	-25~85℃	-40~85℃	GaN-210/370nm1X1mm-AG8 GaN-210/370nm-0.5X0.5mm-AG8 GaN-210/370nm2X2mm-AG8-L GaN-225/290nm-1X1mm-AG8 GaN-290/440nm1X1mm-AG8	φ1mm φ0.22mm φ4mm Φ1mm Φ1mm	Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A	旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。
SiC-220/350nm-1 X 1mm-AG8/SiC-220/350nm-2 X2mm-AG8等	光电探测器:碳化硅，220~350nm，紫外放大型，可调增益	220nm~350nm 220nm~350nm 220nm~350nm 220nm~350nm 225nm~380nm 220nm~280nm 220nm~280nm	Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V	-55~200℃	50mmX38.9mmX70mm	SiC-220/350nm-1X1mm-AG8 SiC-220/350nm-0.5X0.5mm-AG8 SiC-220/350nm-2X2mm-AG8 SiC-220/350nm-2X2mm-AGB-L SiC-225/380nm-1X1mm-AG8 SiC-220/280nm-1X1mm-AG8 SiC-220/280nm-0.5X0.5m-AG8	Φ1mm Φ0.25mm φ4mm Φ4mm φ1mm φ1mm Φ0.25mm	Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A	旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。
SiC-5/125nm-5mm-AG8/SiC-5/125nm-5 X 5mm-AG8等	光电探测器:5~125nm，EUV，极类外放大型，可调增益 SiC碳化硅	5nm~125nm	Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V	-55~90℃	50mmX38.9mmX70mm	Sic-5/125mm-2.5X2.5mm-AG8 SiC-5/125nm-5mm-AG8 SiC-5/125nm-5X5mm-AG8 SiC-5/125nm-9mm-AG8	Φ6.25mm Φ19.6mm Φ25mm Φ64mm	Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A	旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。
SiC-180/200nm-1X1mm-AG8/SiC-180/200nm-5mm-AG8等	光电探测器:180~200nm，VUV，真空紧外放大型，可调增益碳化硅	180nm~200nm	Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V	-55~90℃	50mmX38.9mmX70mm	-	-	Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A	旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。
型号GaP-190/570nm-1x1mm-AG8	光电探测器：190～570nm，磷化镓GaP，放大型，可调增益	190~570nm	Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V	-20~70℃	2.79"X2.07"X0.89"(70.9mmX52.5mmX22.5mm)	PDA	1mmX1mm	Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A	旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。
USD-0.2um/0.7um-8mm-B	极弱光探测器：230-700nm，PMT，放大型，可调增益擦除器	230~700um	Hi-Z负载:0~4V;50Ω负载:0~2V	-20~70℃	117.1mmX112.1mmX39.5mm	USD-0.2um/0.7um-8mm-B	Φ8.0mm	-	-

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型号

产品名称

GaN-210/370nm-1 X 1mm-AG8/GaN-210/370nm-2 X 2mm-AG8等

光电探测器:氮化镓，220~440nm，紫外放大型，可调增益

210nm~370nm 210nm~370nm 210nm~370nm 225nm~290nm 290nm~440nm

Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V

-25~85℃

-40~85℃

GaN-210/370nm1X1mm-AG8 GaN-210/370nm-0.5X0.5mm-AG8 GaN-210/370nm2X2mm-AG8-L GaN-225/290nm-1X1mm-AG8 GaN-290/440nm1X1mm-AG8

φ1mm φ0.22mm φ4mm Φ1mm Φ1mm

Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A

旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。

SiC-220/350nm-1 X 1mm-AG8/SiC-220/350nm-2 X2mm-AG8等

光电探测器:碳化硅，220~350nm，紫外放大型，可调增益

220nm~350nm 220nm~350nm 220nm~350nm 220nm~350nm 225nm~380nm 220nm~280nm 220nm~280nm

Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V

-55~200℃

50mmX38.9mmX70mm

SiC-220/350nm-1X1mm-AG8 SiC-220/350nm-0.5X0.5mm-AG8 SiC-220/350nm-2X2mm-AG8 SiC-220/350nm-2X2mm-AGB-L SiC-225/380nm-1X1mm-AG8 SiC-220/280nm-1X1mm-AG8 SiC-220/280nm-0.5X0.5m-AG8

Φ1mm Φ0.25mm φ4mm Φ4mm φ1mm φ1mm Φ0.25mm

Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A

旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。

SiC-5/125nm-5mm-AG8/SiC-5/125nm-5 X 5mm-AG8等

光电探测器:5~125nm，EUV，极类外放大型，可调增益 SiC碳化硅

5nm~125nm

Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V

-55~90℃

50mmX38.9mmX70mm

Sic-5/125mm-2.5X2.5mm-AG8 SiC-5/125nm-5mm-AG8 SiC-5/125nm-5X5mm-AG8 SiC-5/125nm-9mm-AG8

Φ6.25mm Φ19.6mm Φ25mm Φ64mm

Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A

旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。

SiC-180/200nm-1X1mm-AG8/SiC-180/200nm-5mm-AG8等

光电探测器:180~200nm，VUV，真空紧外放大型，可调增益碳化硅

180nm~200nm

Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V

-55~90℃

50mmX38.9mmX70mm

Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A

旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。

型号GaP-190/570nm-1x1mm-AG8

光电探测器：190～570nm，磷化镓GaP，放大型，可调增益

190~570nm

Hi-Z负载:0~10V;50Ω负载:0~5V

-20~70℃

2.79"X2.07"X0.89"(70.9mmX52.5mmX22.5mm)

PDA

1mmX1mm

Hi-Z负载:1.51kV/A~4.75MV/A;50Ω负载:0.75kV/A~2.38MV/A

旋转档位式调节:0~70dB，每10dB一档，共8档。带宽与增益成反比。

USD-0.2um/0.7um-8mm-B

极弱光探测器：230-700nm，PMT，放大型，可调增益擦除器

230~700um

Hi-Z负载:0~4V;50Ω负载:0~2V

-20~70℃

117.1mmX112.1mmX39.5mm

USD-0.2um/0.7um-8mm-B

Φ8.0mm