多谱品库 | 「国产突破」高灵敏APD雪崩探测器：八档可调增益+大靶面设计+温度补偿，独家性能！
在激光雷达、量子通信、生物医学成像等前沿领域，光电探测器的性能往往决定着整个系统的整体效果。长期以来，高端雪崩 […]
在激光雷达、量子通信、生物医学成像等前沿领域，光电探测器的性能往往决定着整个系统的整体效果。长期以来，高端雪崩光电探测器(APD)市场被国外品牌垄断，多谱光学以需求为使命，推出自主品牌的APD探测器系列产品，不仅性能1：1替代国际大牌，更创新性地采用可调增益技术和大靶面光敏区设计，实现功能超越！
一 01 雪崩效应：光电探测的”信号放大器” 当光子撞击APD的敏感区域时，会产生电子-空穴对。在高达几十至数百伏的反向偏压下，这些载流子被加速并获得足够能量，通过碰撞电离产生新的载流子，形成”雪崩”般的链式反应。这个过程可以提供100-1000倍的内置增益，使APD能够检测单个光子级别的微弱信号。 02 关键技术突破 精密掺杂工艺：确保均匀的雪崩倍增区域 抗反射镀膜：提升特定波段的量子效率 保护环设计：抑制边缘击穿，提高可靠性
二
雪崩光电二极管（APD）通过施加接近击穿电压的高反向偏压，在耗尽区内形成强电场。当入射光子产生电子-空穴对时，电场加速载流子引发碰撞电离，形成链式雪崩倍增效应，其增益能力由倍增因子（M）表征，典型值可达10²~10³倍。
01
温度与电压对增益的关键影响
M因子具有显著的温度和电压依赖性：
1、温度敏感性：温度升高→晶格振动加剧→载流子平均自由程缩短→M因子降低（典型温度系数：-0.2%/℃）
2、电压调控性：偏压升高→电场强度增加→碰撞电离概率提升→M因子增大（但需避免击穿）
02
温度补偿技术的工程突破
为解决温度漂移问题，高端APD集成以下创新设计：
1、热敏电阻网络：实时监测结温，动态调整偏置电压（补偿斜率可达+0.3V/℃）
2、闭环控制电路：将M因子波动控制在±1%以内（-40℃~70℃全温区）
03
可变增益的精密实现
通过旋转编码器或数字接口调节偏压，实现：
1、M因子线性可调（如5~100连续可调）
2、增益稳定性：配合温度补偿，确保任意设定点下的增益一致性（偏差<±0.5dB）
三 01 增益调节 （独家特点） 0-70dB八档可调增益：通过控制，灵活适配不同光强场景，从单光子级弱光检测到mW级强光测量，确保信号的最佳信噪比。 动态M因子优化：实时调整雪崩倍增系数，结合温度补偿技术，增益稳定性优于±0.5dB。
02 高精度温度补偿 集成热敏电阻与闭环控制电路，实时监测结温并动态调节偏置电压，全温区（10℃~40℃）增益波动控制在±2%以内，显著提升环境适应性。
03 超低噪声与快速响应 采用低噪声FET放大器，暗电流低至0.1pA 响应时间<1ns，完美捕捉高速光脉冲信号 信噪比(SNR)提升30%，适用于微弱信号检测0dB噪声
脉冲响应
04
单光子级超高灵敏度
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探测极限达10⁻¹⁶ W，可实现单光子事件检测
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专为量子通信、荧光检测等极限弱光场景优化
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配合主动淬灭电路，实现单光子雪崩二极管(SPAD)功能
雪崩信号
05
超大靶面设计（独家特点）
铟镓砷（InGaAs）靶面达1mm（市面上感光尺寸最大的铟镓砷APD），硅（Si）靶面达5mm，远超行业常规尺寸，有效提升光信号接收效率，降低光学对准难度。
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