多谱品库 | 「国产突破」高灵敏APD雪崩探测器：八档可调增益+大靶面设计+温度补偿，独家性能！

当光子撞击APD的敏感区域时，会产生电子-空穴对。在高达几十至数百伏的反向偏压下，这些载流子被加速并获得足够能量，通过碰撞电离产生新的载流子，形成”雪崩”般的链式反应。这个过程可以提供100-1000倍的内置增益，使APD能够检测单个光子级别的微弱信号。

精密掺杂工艺：确保均匀的雪崩倍增区域

抗反射镀膜：提升特定波段的量子效率

保护环设计：抑制边缘击穿，提高可靠性

M因子具有显著的温度和电压依赖性：

1、温度敏感性：温度升高→晶格振动加剧→载流子平均自由程缩短→M因子降低（典型温度系数：-0.2%/℃）

2、电压调控性：偏压升高→电场强度增加→碰撞电离概率提升→M因子增大（但需避免击穿）

为解决温度漂移问题，高端APD集成以下创新设计：

1、热敏电阻网络：实时监测结温，动态调整偏置电压（补偿斜率可达+0.3V/℃）

2、闭环控制电路：将M因子波动控制在±1%以内（-40℃~70℃全温区）

通过旋转编码器或数字接口调节偏压，实现：

1、M因子线性可调（如5~100连续可调）

2、增益稳定性：配合温度补偿，确保任意设定点下的增益一致性（偏差<±0.5dB）

集成热敏电阻与闭环控制电路，实时监测结温并动态调节偏置电压，全温区（10℃~40℃）增益波动控制在±2%以内，显著提升环境适应性。

• 采用低噪声FET放大器，暗电流低至0.1pA

• 响应时间<1ns，完美捕捉高速光脉冲信号

• 信噪比(SNR)提升30%，适用于微弱信号检测0dB噪声

• 探测极限达10⁻¹⁶ W，可实现单光子事件检测

• 专为量子通信、荧光检测等极限弱光场景优化

• 配合主动淬灭电路，实现单光子雪崩二极管(SPAD)功能

铟镓砷（InGaAs）靶面达1mm（市面上感光尺寸最大的铟镓砷APD），硅（Si）靶面达5mm，远超行业常规尺寸，有效提升光信号接收效率，降低光学对准难度。